
現代電子領域存在著一個永恆不變的真理:即便我們擁有世界上最快的處理器,但如果沒有足夠的記憶體來儲存數據,我們仍然會像塞車一樣寸步難行。根據高盛分析師李基尼(Giuni Lee)近期撰寫的深度報告,全球記憶體半導體市場( DRAM和NAND )正面臨過去十五年來前所未有的「危機」。
悖論已經顯現:隨著人工智慧的加速發展,物理能力跟上它的速度卻在放緩,從而造成了供應難以滿足貪婪需求的市場環境。
結構性赤字:危機數據
高盛已上調對供應缺口的預測。這並非微小的波動,而是真正的系統性失衡。預測顯示,在2026年至2027年這兩年:
- DRAM: 2026 年供應缺口為 4.9% , 2027 年為 2.5%。這些數字看起來很小,但足以推高價格。
- NAND: 2026 年缺口為 4.2% , 2027 年缺口為 2.1% 。
這些看似微小的數字其實代表著巨大的價格壓力。伺服器記憶體——包括傳統的DRAM和極其重要的HBM(高頻寬記憶體)——已成為價格上漲的驅動力,佔全球總需求的50%以上。
為什麼我們不能生產更多?
這個問題自然而然地浮現出來:如果市場需要,為什麼企業不直接擴大生產規模?答案在於技術複雜性與資本成本:
- 物理與技術限制:生產DRAM或HBM需要極為精密的微影製程。僅僅增加一條生產線是不夠的;它需要分子級的精度,而這需要數年時間才能完全實現。
- 「 HBM效應」:用於人工智慧的高頻寬記憶體(HBM)的生產「搶佔」了傳統DRAM的產能。由於HBM結構更複雜且良率更低,其擴張會減少標準記憶體的供應。
- 進入門檻:建造一座新的晶片工廠需要數十億美元的投資,以及超過24-36個月的建設週期。到2026年,將會缺少的是多年前做出的(或未做出的)決策所帶來的結果。
對價格和營業利潤率的影響
對製造商而言,黃金時代即將到來;對買家而言,則是一場血洗。高盛預測,到2026年,傳統DRAM價格可能以每年176%的速度上漲。主要廠商的營業利潤率可能達到70-80%,這在歷來週期性波動劇烈的行業中幾乎是前所未有的。
| 記憶體型 | 2026年價格預測(年比) | 預計營業利益率 |
| DRAM | +176% | 70% – 80% |
| NAND | +100% – 120% | > 40% |
市場主角們
分析顯示,有些巨頭企業比其他企業更有優勢抓住這波浪潮:
- 三星電子:受益於其在傳統記憶體領域的巨大投入。高盛預測,到2026年,其營業利潤可能成長四倍。
- SK海力士:仍是人工智慧相關記憶體的標桿,DRAM利潤率預計將接近80%。
- 美光科技:儘管評級維持在“中性”,但其在 HBM 市場中的份額仍然至關重要,估計約為 20%。
- SanDisk:重點在於 NAND 記憶體以及企業對 SSD 處理 AI 推理模型資料日益增長的需求。
總之,我們正面臨一個技術瓶頸,它將使記憶體從消費品轉變為工業奢侈品。如果說2024年是處理器(GPU)元年,那麼2026年很可能就是記憶體元年。
文章《短期記憶,長期價格:為什麼半導體產業正在為創紀錄的 2026 年做準備》來自Scenari Economici 。
這是在 Tue, 10 Feb 2026 06:15:58 +0000 在 https://scenarieconomici.it/memoria-corta-prezzi-lunghi-perche-il-settore-dei-semiconduttori-si-prepara-a-un-2026-da-record/ 的報紙 “Scenari Economici” 上發表的文章的翻譯。